反应离子刻蚀设备
反应离子刻蚀原理是将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。基本功能1. 该设备采用平板电容放电形式，将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应
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反应离子刻蚀原理是将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的。
基本功能
1. 该设备采用平板电容放电形式，将通入刻蚀室的工艺气体分子解离，产生等离子体。一方面由等离子体中的部分活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，另一方面由于射频自偏压
作用，等离子体中的正离子对被刻蚀材料表面进行物理轰击，从而以物理化学相结合的方法达到材料表面刻蚀的目的；
2. 刻蚀气体：氟基刻蚀气体；
3. 可刻蚀材料：单晶硅、非晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4、PSG、SOI、TaN、Ta、Ti、W、Mo、聚合物等；
4. 设备兼有去胶功能。