离子束刻蚀设备
离子束刻蚀的原理是把氩气等惰性气体充入离子源放电室，并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面，撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，纯属物理过程。基本功能1. 三维结构刻蚀：离子束刻蚀设备可用于刻蚀任何材料的三维结构，刻蚀陡直度优于85度，刻蚀精度可做到小于10nm。2. 材料表面清洗：采用考夫曼离子源产生的准直离子束对样
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离子束刻蚀的原理是把氩气等惰性气体充入离子源放电室，并使其电离形成等离子体，然后由栅极将离子呈束状引出并加速，具有一定能量的离子束进入工作室，射向固体表面，撞击固体表面原子，使材料原子发生溅射，达到刻蚀目的，纯属物理过程。
基本功能
1. 三维结构刻蚀：离子束刻蚀设备可用于刻蚀任何材料的三维结构，刻蚀陡直度优于85度，刻蚀精度可做到小于10nm。
2. 材料表面清洗：采用考夫曼离子源产生的准直离子束对样品表面进行清洗，通过离子束轰击材料表面去除表面污染层，因其清洗过程属于纯物理原理，所以离子束清洗是材料表面纯净化极为彻底的方法。该设备可用于清洗各种材料表面，并且不会发生二次污染。
3. 材料表面终极抛光：采用离子束对材料表面进行抛光，可使材料表面达到极小粗糙度。例如我们对熔融石英表面进行抛光实验，最终其表面粗糙度可达到Ra=0.1nm。
拓展功能
1. 化学辅助离子束刻蚀：*控制物理与化学刻蚀分量，提高材料刻蚀率和与掩模材料的刻蚀选择比。
2. 反应离子束刻蚀：可通多种反应气体提高刻蚀速率和选择比。例如：用光刻胶做掩模刻蚀SiO2，刻蚀速率比已达1:3以上。
3. 金属表面再造：使其比表面积增大1000倍以上，具有微米和纳米柱状微结构。可制作TWT阳极，具有极低的二次电子发射系数。