离子刻蚀设备

离子束刻蚀设备

离子束刻蚀的原理是把氩气等惰性气体充入离子源放电室,并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面,撞击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,纯属物理过程。基本功能1. 三维结构刻蚀:离子束刻蚀设备可用于刻蚀任何材料的三维结构,刻蚀陡直度优于85度,刻蚀精度可做到小于10nm。2. 材料表面清洗:采用考夫曼离子源产生的准直离子束对样

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离子束刻蚀的原理是把氩气等惰性气体充入离子源放电室,并使其电离形成等离子体,然后由栅极将离子呈束状引出并加速,具有一定能量的离子束进入工作室,射向固体表面,撞击固体表面原子,使材料原子发生溅射,达到刻蚀目的,纯属物理过程。

基本功能


1. 三维结构刻蚀:离子束刻蚀设备可用于刻蚀任何材料的三维结构,刻蚀陡直度优于85度,刻蚀精度可做到小于10nm。
2. 材料表面清洗:采用考夫曼离子源产生的准直离子束对样品表面进行清洗,通过离子束轰击材料表面去除表面污染层,因其清洗过程属于纯物理原理,所以离子束清洗是材料表面纯净化最彻底的方法。该设备可用于清洗各种材料表面,并且不会发生二次污染。
3. 材料表面终极抛光:采用离子束对材料表面进行抛光,可使材料表面达到最小粗糙度。例如我们对熔融石英表面进行抛光实验,最终其表面粗糙度可达到Ra=0.1nm。


拓展功能

1. 化学辅助离子束刻蚀:*控制物理与化学刻蚀分量,提高材料刻蚀率和与掩模材料的刻蚀选择比。
2. 反应离子束刻蚀:可通多种反应气体提高刻蚀速率和选择比。例如:用光刻胶做掩模刻蚀SiO2,刻蚀速率比已达1:3以上。
3. 金属表面再造:使其比表面积增大1000倍以上,具有微米和纳米柱状微结构。可制作TWT阳极,具有极低的二次电子发射系数。


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